文章來(lái)源：中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司 發(fā)布時(shí)間：2019-02-27
近日，中國(guó)電科46所經(jīng)過(guò)多年氧化鎵晶體生長(zhǎng)技術(shù)探索，通過(guò)改進(jìn)熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)、優(yōu)化生長(zhǎng)氣氛和晶體生長(zhǎng)工藝，有效解決了晶體生長(zhǎng)過(guò)程中原料分解、多晶形成、晶體開(kāi)裂等問(wèn)題，采用導(dǎo)模法成功制備出高質(zhì)量的4英寸氧化鎵單晶。
氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料，適用于制造高電流密度的功率器件、紫外探測(cè)器、發(fā)光二極管等。但由于氧化鎵屬于單斜晶系，具有高熔點(diǎn)、高溫分解以及易開(kāi)裂的特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。中國(guó)電科46所制備的氧化鎵單晶的寬度接近100mm，總長(zhǎng)度達(dá)到250mm，可加工出4英寸晶圓、3英寸晶圓和2英寸晶圓。經(jīng)測(cè)試，晶體具有很好的結(jié)晶質(zhì)量，將為國(guó)內(nèi)相關(guān)器件的研制提供有力支撐。
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