中國電子55納米工藝嵌入式閃存智能卡芯片達(dá)國際領(lǐng)先水平
文章來源：規(guī)劃發(fā)展局 發(fā)布時間：2016-10-27
目前，全球智能卡芯片市場需求巨大,競爭激烈，而當(dāng)前國內(nèi)主流智能卡工藝仍然停留在較低的130納米水平，相比國際上主流的90納米存在一定的差距。國內(nèi)芯片公司為了更好參與國際競爭，必須提供更有競爭力的產(chǎn)品。
中國電子與國內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商進(jìn)行戰(zhàn)略合作，積極組織研發(fā)力量，合作開發(fā)基于55納米工藝的智能卡芯片產(chǎn)品，取得了多項成就。一是將閃存生產(chǎn)工藝嵌入到55納米邏輯工藝中，解決了嵌入式閃存工藝流程復(fù)雜和高深寬比溝槽隔離等難題，提升了存儲器件電學(xué)特性和可靠性，擦寫可靠性達(dá)25年/50萬次。二是通過集成電路設(shè)計創(chuàng)新，提高了55納米工藝智能卡芯片產(chǎn)品模擬電路系統(tǒng)的精度、魯棒性和抗干擾性，保證了產(chǎn)品高良品率、高可靠性和大規(guī)模生產(chǎn)健壯性。三是通過工藝集成創(chuàng)新，成功實現(xiàn)了與55納米純邏輯工藝平臺百分之百兼容，所有尺寸的邏輯核心器件和輸入輸出器件電學(xué)參數(shù)保持不變，實現(xiàn)邏輯工藝庫和IP的復(fù)用。四是實現(xiàn)了可靠性測試方法創(chuàng)新，通過軟件增強可靠性方法、圓片級可靠性測試和產(chǎn)品級可靠性測試等評價方法，保證了產(chǎn)品質(zhì)量和一年半開發(fā)周期，確保產(chǎn)品快速上市。相關(guān)產(chǎn)品是全球智能卡領(lǐng)域第一個實現(xiàn)了大規(guī)模穩(wěn)定量產(chǎn)的55納米智能卡芯片產(chǎn)品，良品率穩(wěn)定在97%以上。
該項目取得包括國際專利在內(nèi)的發(fā)明專利10項，軟件著作權(quán)1項，集成電路布圖3項，帶動了芯片制造、芯片測試與封裝、模塊封裝與測試、成卡測試與封裝等產(chǎn)業(yè)鏈上多個環(huán)節(jié)的自主快速發(fā)展，滿足了國內(nèi)4G通訊激增的換卡需求，具有顯著的經(jīng)濟(jì)和社會效益。
附圖：55納米嵌入式閃存智能卡芯片
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